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拉特拉普圣母修道院（Abbaye Notre-Dame de la Trappe），一般称作拉特拉普修道院（Abbaye de La Trappe），是法国奥恩省索利尼拉特拉普的一座修道院。为严规熙笃隐修会的发源地及命名地。
该修道院最早由佩尔什伯爵罗特鲁三世（Rotrou III）于1122年捐资建立，以纪念其妻子玛蒂尔达。最初只是一个私人礼拜堂，数年后罗特鲁伯爵又在其基础上加盖了一座修道院。1662年，阿尔芒·布蒂利耶·朗塞（Armand Bouthillier Rancé）成为了该院第十四代修道院长，使得拉特拉普修道院成为了熙笃会改革运动的中心，并最终成为了严规熙笃会（Trapist）的命名地。
拉特拉普修道院在1790年法国大革命后被废除，但在1815年波旁复辟时重新建立。
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圣热尼拉瓦勒的邮政编码为P281，INSEE市镇编码为P374。
圣热尼拉瓦勒的现任市长为玛丽莱娜·米耶（Marylène Millet）女士，任期为2020-2026年。
圣热尼拉瓦勒于P585时的人口数量为P1082人。
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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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