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闸极驱动器（gate driver）是一种功率放大器，可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体（例如IGBT或是power MOSFE）的闸极。闸极驱动器可能是附在功率晶体上，也有可能是独立的元件。闸极驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。

MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在没有切换（切换导通或是切换关断）时，不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器（闸极电容），在每一次切换导通或关闭时，会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通，同様的，闸极电容需要一定的电压才能充电，让晶体导通。同样的，若要关断晶体，也需要释放电容器上的电荷，因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断，不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过大电流，且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热，若控制不当，甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好，以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级，甚至会到数安培的大小，因为一般的闸极电压会在10-15V之间，切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流，例如直流-直流转换器或是大型的电动机，会将数个功率晶体并联，以提供够大的切换电流及功换功率。

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* 曾祖：裴德欢，魏中书郎、河内郡守，谥曰康。

* 祖父：裴澄，字靖虑，魏银青光禄大夫、赠汾州刺史，谥曰文。

* 父亲：裴汉（514年-572年），字仲霄，北周司车路下大夫、车骑大将军、仪同三司、赠晋州刺史。

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三个伟大的建筑师创造了这座宫殿，每个都为这座建筑贡献了自己的风格和特色。卡洛·马代尔诺，当时正在延伸圣伯多禄大殿的走道，受命修建带花园的巨大别墅。

1627年开始，马代尔诺的远房表亲博罗米尼成为他的助手。当马代尔诺于1629年去世后，博罗米尼和济安·贝尼尼两位建筑师一起工作，于1633年完成工程。

卡斯特罗战争和乌尔班八世去世后，这座宫殿被英诺森十世没收，1653年才归还巴贝里尼家族。

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