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鄂托克龙属（学名：Otogosaurus）是蜥脚下目恐龙的一属。模式种为萨茹拉鄂托克龙（O. sarulai），是在2004年由中国古生物学家赵喜进描述、命名的。属名是取自化石发现地中国内蒙古的鄂托克旗，而种小名则是以当地的萨茹拉牧民来命名。

萨茹拉鄂托克龙的化石是发现于中国内蒙古，被推测是草食性恐龙。牠约有15公尺长。牠的化石包括脚掌及右股骨，以及一些其他的骨头。这些化石是属于8000万年前的白垩纪时期。从骨骼的结构得知，牠有强壮的腰及背部，而后肢较前肢长。鄂托克龙生活于邻近湖泊及植物的环境。化石发现处的附近也发现足迹化石。

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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

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* 理查・狄谭伯（Richard DeTamble）：亨利的父亲，克莱儿的公公，阿尔芭的爷爷。

* 安妮特・狄谭伯（Annette DeTamble）：亨利的母亲，亲眼目睹亨利消失，之后车祸失控死亡，也是阿尔芭已过世的奶奶。

* 艾莉西亚・艾布夏尔（Alicia Abshire）：克莱儿的妹妹，阿尔芭的阿姨。

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